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S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
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產(chǎn)品中心光學(xué)無(wú)源器件
product
產(chǎn)品分類(lèi)
GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學(xué)晶體（晶體/窗片) 產(chǎn)品總覽 GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。
更新時(shí)間：2024-12-04
產(chǎn)品型號(hào)：
瀏覽量：1549
AGSe 硒鎵銀（AgGaSe2）NIR-IR近紅外非線性晶體（晶體/窗片） 產(chǎn)品總覽 AgGaSe2晶體,中文名硒鎵銀晶體,簡(jiǎn)稱(chēng)AGSe晶體。中紅外激光倍頻有效的晶體材料，對(duì)中紅外激光的倍頻效率高,是有效的非線性激光晶體之一.還同時(shí)具有三波非線性作用(OPO)的優(yōu)良性能。
更新時(shí)間：2024-12-04產(chǎn)品型號(hào)：瀏覽量：1537
LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體窗片 LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體通過(guò)定向凝固生長(zhǎng)單晶。典型的生長(zhǎng)晶體長(zhǎng)約 20 毫米，直徑約 10 毫米，呈深紅色。晶格常數(shù)被確定為a = 7.218 埃， b= 8.441 Å，c = 6.772 Å，粉末 X 射線衍射。通過(guò)差熱分析確定熔點(diǎn)為904℃。LiInSe 的能帶隙2在室溫下，
更新時(shí)間：2024-12-04產(chǎn)品型號(hào)：LilnSe2-瀏覽量：1386
LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線性光學(xué)晶體窗片 硫銦鋰（LiInS2或LIS）晶體的非線性特性與AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶體結(jié)構(gòu)不同。LiInS2是一種熱釋電材料，其電光參數(shù)是將其用作有效電光材料的基礎(chǔ)。
更新時(shí)間：2024-12-04產(chǎn)品型號(hào)：LiGaSe2-瀏覽量：1378
LGSe硒鎵鋰(LiGaSe2) NIR-IR近紅外非線性光學(xué)晶體窗片 LGSe是一種新型非線性紅外材料，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基團(tuán)中紅外晶體的OPO、OPA、DFG具有一組重要的物理參數(shù)，如帶隙大、雙光子吸收低、透明范圍寬(包括THz窗鏡)、群速度失配低、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)各向異性低等，從而可以有效應(yīng)用于寬光譜范圍的可調(diào)諧激光系統(tǒng)。
更新時(shí)間：2024-12-04產(chǎn)品型號(hào)：LiGaSe2-瀏覽量：1557