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  • 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

    更新時(shí)間:2024-12-06
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  • 145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖)

    145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽 該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信( 1T/bs PAM),電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。

    更新時(shí)間:2024-12-06
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間:2024-12-06
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  • 硅(Si)放大型光電探測(cè)器 320 -1100nm (DC - 200kHz)

    硅(Si)放大型光電探測(cè)器 320 -1100nm (DC - 200kHz) 應(yīng)用領(lǐng)域: ?顯示面板檢測(cè) ?LED照明頻閃分析 ?玩具燈閃爍頻率及功率測(cè)量 ?氣體分析

    更新時(shí)間:2024-12-05
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  • ET-2070美國EOT - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz

    美國EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):ET-2070
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